崗位職責(zé):
1.負(fù)責(zé)CFET器件關(guān)鍵工藝、集成技術(shù)研發(fā);
2.負(fù)責(zé)高遷移率溝道器件、異質(zhì)CFET等新型器件及集成技術(shù)研發(fā);
3.負(fù)責(zé)納米器件電學(xué)特性測(cè)試分析及優(yōu)化;
4.參與相關(guān)科研項(xiàng)目申請(qǐng)、報(bào)告、結(jié)題等工作。
崗位要求:
1.電子類(lèi)相關(guān)專(zhuān)業(yè),碩士及碩士以上學(xué)歷;
2.工作態(tài)度認(rèn)真負(fù)責(zé),做事積極主動(dòng),具有較強(qiáng)溝通、學(xué)習(xí)和動(dòng)手能力,工作認(rèn)真負(fù)責(zé)、善于學(xué)習(xí)、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神;
3.對(duì)半導(dǎo)體器件和工藝有深入的理解,熟悉納米CMOS集成工藝,具備CMOS器件電學(xué)性能分析和優(yōu)化能力;
4.有半導(dǎo)體器件和工藝研發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。