職位描述
IGBTFRED應(yīng)用電路失效分析逆變器功率器件測試平臺搭建電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責：
1、負責AE部門的日常管理工作；
2、研究產(chǎn)品應(yīng)用特性，并形成研究報告；
3、負責應(yīng)用測試平臺搭建和后續(xù)增加測試項的具體實現(xiàn)；
4、負責IGBT、FRED等產(chǎn)品應(yīng)用方案和應(yīng)用評估；
5、用戶端產(chǎn)品應(yīng)用服務(wù)，并積極解決客戶端問題；
6、應(yīng)用電路及產(chǎn)品失效分析；
7、產(chǎn)品改進及推進；
8、產(chǎn)品應(yīng)用技術(shù)培訓；
9、公司安排的其他工作。
任職要求：
1、本科及以上學歷，電力電子、電氣傳動及相關(guān)專業(yè)；5年以上相關(guān)領(lǐng)域開發(fā)或技術(shù)支持工作經(jīng)驗，2年以上管理經(jīng)驗；
2、熟悉功率器件及其應(yīng)力分析；
3、熟悉功率器件選型；
4、具有逆變器、ups等研發(fā)或是整機相關(guān)經(jīng)驗(5年以上)；
5、獨立開展工作，實驗?zāi)芰?，熟悉實驗設(shè)備，有很好的分析和解決問題的能力；
6、良好的團隊協(xié)作能力，能適應(yīng)短期出差。
工作地點
江寧區(qū)南京55研究新所
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職位發(fā)布者
左女士/招聘主管
立即溝通
南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）（以下簡稱“南京中心”）是國家級創(chuàng)新平臺。南京中心坐落于南京市江寧區(qū)，充分發(fā)揮南京豐富的基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究和技術(shù)創(chuàng)新資源優(yōu)勢，主攻電力電子、光電子、射頻電子等應(yīng)用領(lǐng)域。南京中心以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，產(chǎn)學研協(xié)同推動科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化，為區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給，為科技型中小企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供創(chuàng)新服務(wù)，為支撐產(chǎn)業(yè)向中高端邁進、實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展發(fā)揮戰(zhàn)略引領(lǐng)作用。南京中心現(xiàn)擁有國內(nèi)頂尖的第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)技術(shù)團隊，核心技術(shù)全國領(lǐng)先，國際先進。該團隊由中國電科首席專家柏松領(lǐng)銜，擁有博士以上學歷13人，高級以上職稱12人。IntroductionNational Center of Technology Innovation for Wide BandGap Semiconductors(Nanjing) is a state-level technology innovation center， located in Jiangning District, Nanjing，Nanjing Center was set up to develope power electronics, optoelectronics, RF electronics and other electronic device technologies，giving its full play to the local advantages in fundamental researches, applied researches and technological innovation ability. Nanjing Center will cooperate together with industries, universities and research institutes to promote the technological progress and the achievement transformation of science and technology. Nanjing Center will continuously commit itself to providing technical sources for regional and industrial development, offering services for cultivating and developing small-and medium-sized enterprises, leading industries to middle and high-end and achieve high-quality development.Nanjing Center has established an R&D team which is among the best in China for wide bandgap semiconductor devices. The research team led by Bai Song, chief expert of CETC, consists of over ten doctors, and a number of senior engineers.
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